г. Минск
Гипермаркет электроники,
бытовой техники, комплектующих
Корзина
0 руб.

SSD Netac NV150HK 4TB NT01NV150HK-4T0-E4X

SSD Netac NV150HK 4TB NT01NV150HK-4T0-E4X
(0)
Код товара: 11054995
Наличие: много
2 215.50 руб.
2 147.20 руб. / шт.
Экономия: 68.30 руб.
До конца акции осталось:
00дн.
00час.
00мин.
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14000/13000 МБайт/с, случайный доступ: 2000000/1800000 IOps, совместимость с PS5
Полное описание
Гарантия 24 мес.
Подарок при покупке
Дарим подарок при покупке данного товара
Выбрать подарок
SSD Netac NV150HK 4TB NT01NV150HK-4T0-E4X
SSD Netac NV150HK 4TB NT01NV150HK-4T0-E4X
(0)
Наличие: много
2 215.50 руб.
2 147.20 руб. / шт.

✅Ключевые характеристики
Высокопроизводительный SSD-диск формата M.2 2280 с интерфейсом PCI Express 5.0 x4 и поддержкой NVMe 2.0. Использует чипы 3D TLC NAND, оснащён DRAM-буфером и пассивным радиатором для охлаждения.

✅Преимущества и отличия
Устройство выделяется исключительно высокой производительностью благодаря поддержке PCIe Gen5 и новейшей версии NVMe. Радиатор эффективно отводит тепло, предотвращая перегрев даже при длительных нагрузках.

✅Практичность
Совместимость с современными настольными ПК, форм-фактор M.2 2280 и отсутствие подсветки делают диск универсальным решением для рабочих станций, игровых и профессиональных систем. Наличие DRAM-буфера способствует стабильной скорости передачи данных даже при интенсивной многозадачности.

✅Уникальность
Модель оснащена независимым DRAM и SLC-кэшем, что гарантирует стабильную работу без потери производительности. Фирменный радиатор обеспечивает эффективное охлаждение и устойчивость к перегреву, а использование современных технологий памяти и поддержки NVMe 2.0 выделяет диск среди типовых решений для требовательных пользователей.


Дата выхода на рынок 2025 г.
Основные
Объём 4 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 5.0 x4
Версия NVMe 2.0
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Контроллер Silicon Motion SM2508
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 2400 TBW
Технические характеристики
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера 4096 МБ
Аппаратное шифрование
Скорость последовательного чтения 14 000 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 13 000 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 2 000 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 1 800 000 IOps
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 19.5 мм
Охлаждение
Тип охлаждения радиатор
Подсветка
Совместимость с PS5
Комплектация
Тип поставки RTL (в коробке)
Гарантия 24 мес.
Персональные рекомендации